晶间腐蚀是沿着晶粒边界发生的选择性腐蚀。晶界是金属晶粒间的错接区，是高能区，有更强的化学活性，因而在大多数情况下晶界比晶粒本身腐蚀得快，因晶界明显地活泼得多，故会发生晶间腐蚀。
Al-Cu系合金如2A12在人工时效，晶间有CuAl2沉淀，在晶粒边界形成贫Cu区域，该区电位最负，于是腐蚀沿着晶界贫Cu区进行，形成晶间腐蚀.超硬铝7A04、7A09合金固溶处理为均匀的固溶体，在经过具有晶间腐蚀倾向的人工时效处理后，晶间会沉淀出电位为-0.86V的MgZn2，在晶粒边界形成电位为-0.57V的贫合金元素(Mg、Zn)区，而晶粒本体为固溶体，其电位为-0.68V。显然，由于MgZn2的电位最负，于是腐蚀沿着晶间进行。
由于晶间腐蚀发生在金属内部，往往不易发现而突然引起结构破裂，甚至造成重大事故。1981年8月，我国台湾省有一架波音737飞机在高空飞行中因晶间腐蚀而失事。事后检查发现，该机因常用于运输活鱼和海产品，使机身铝结构件发生严重的晶间腐蚀。
工业纯铝在大气、淡水、海水及中性溶液中发生点腐蚀，不产生晶间腐蚀，在盐酸中也不发生晶间腐蚀。Al-Mn系合金和形成Mg2Si外无过剩Si存在的6XXX系合金无晶间腐蚀倾向。因MnAl6、Mg2Si的电位各与其固溶体的电位相近(表1-6-22)。如6XXX系合金中有过剩Si存在，则有晶间腐蚀敏感性。
表1-6-22 金属和金属间化合物经24h腐蚀后对氢电极的电位
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金属和化合物 |
电位/V |
金属和化合物 |
电位/V |
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溶液Ⅰ |
溶液Ⅱ |
溶液Ⅰ |
溶液Ⅱ |
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Al A+0.8%Cu Al+6.1%Cu Al+1.52%Ni Al=1.47%Mg
Al+5.64%Mg Al+0.64%Mn Al+1.55%Si Al+0.2%Fe Al+1.07%Zn Al+6.06%Zn
Al+0.34%cr Al+0.1%Ti 高纯镁 工业纯镁 Cu Cd |
-0.515 -0.440 -0.412 -0.508 -0.548
-0.662 -0.507 -0.505 - -0.627 -0.780
-0.496 -0.514 -1.389 -1.341 +0.035 -0.500 |
-0.526 -0.475 -0.470 -0.481 -0.530
-0.550 -0.486 -0.515 -0.527 -0.610 -0.714
-0.503 -0.524 -1.426 -1.406 +0.039 -0.533 |
Zn Ni Cr Si Mn
Ni Fe CuAl2 Mg2Al3 Al2CuMg Al2MgLi
Mg2Si FeAl3 NiAl3 MnAl6 MgZn2 Al+1.1%Fe |
-0.794 +0.164 +0.202 -0.137 -0.852
+0.038 -0.371 -0.517 -0.930 -0.673 -1.151
-1.250 -0.261 -0.210 -0.582 -0.786 - |
-0.776 -0.087 +0.097 -0.103 -0.842
+0.009 -0.305 -0.382 -0.864 -0.430 -0.934
- - - - - -0.527 |
注：溶液Ⅰ含3%NaCl，溶液Ⅱ含3#NaCl+15HCl
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