深度分析氧化铝板热阻生产效应原理
- 各种铝板的应用也是越来越广，我们将铝各种应用相结合起来，充分实现资源的有效利用，在这里跟大家分享铝板热阻相关原理，其实氧化铝跟其他铝合金制品一样，只是引用领域范围不一样而已。
氧化铝加热时候，当175mA小电流通入在1 x lmm2的LED芯片上，氧化铝基板因热阻的温升为10.50℃(=20 ×175mA ×3.0V)，热不易传导出LED芯片；当350mA电流通入在 lxlmm2的LED芯片上，合金铝板的应用也是当前主要的发展之一，它的一个温度控制范围也是在不同。针对不同产品而言，氧化铝基板因热阻的温升为230℃ (=J20 x 350mAx3.3 V)，此时氧化铝基板会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会产生大量光衰。
而当500 mA大电流通入在1 x 1mm2的LED芯片上时，氧化铝基板因热阻的温升大约为360℃(20×5OO A×3.6 V)，此时氧化铝基板也会无法将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。因此，LED芯片封装若选择氧化铝基因其热阻高，封装组件只适合使用在低功率～L175 mA;约0.5W 。防锈铝、锻铝、硬铝的热力效应也确实不强。
当175mA小电流通入下，其基板因热阻温升为4.7℃;当电流来到350mA,基板温升为6.9 ℃，当500mA电流通入时，基板温升大约为8.1℃，及当700mA大电流通入下，基板因热阻温升大约为11℃。
当氧化铝基板温升大于80℃，此时氧化铝基板会不易将热传导出LED芯片，LED芯片会快速光衰。LED芯片封装在氧化铝基板，封装组件只适合始使用功率（一350mA，约1watt）。应用以硅为导热基板的LED封装，在3.37 x3.37 mxm2的小尺寸面积上，具有快速导热的性能，可大幅解决因为使用氧化铝造成的高热阻问题。以精密的量测热阻设备(T3Ster)量测到的热阻值，在25℃环境温度下测试时，各封装层的热阻如下：
1. Chip: 1QC/w
2. Bonding layer: 1.50C/W
3. Si substrate: 2.50C/W
当大电流(700 mA)通入在1×lmm2。的LED芯片上，-硅基板因热阻的温升为6.3℃(=2.5、×700mA × 3.6 V)，硅基板会快速将热传导出LED芯片，LED芯片只会有小许光衰。硅藉由优良导热性能将热传导出LED芯片，LED芯片会有小许光衰。因此，LED芯片封装在硅基板上适合于大功率使用( 700mA,约3W)。因为硅基板制作及LED封装在硅基板，技术难度非常高，目前只有少许公司具备。硅作为LED集成封装基板材料的热阻低于氧化铝基板材料，应用于大功率时，硅基板为好的选择。
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